在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā)，版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。

編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。

把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？