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CVD是利用某種物理過程,例如蒸發(fā)或者濺射現(xiàn)象實現(xiàn)物質的轉移,即原子或分子由源轉移到襯底(硅)表面上,并淀積成薄膜。
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快速熱處理是一種小型的快速加熱系統(tǒng),帶有輻射熱和冷卻源,通常一次處理一片硅片。
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用于亞0.25μm工藝的選擇性氧化的主要技術是淺槽隔離。
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傳統(tǒng)的0.25μm工藝以上的器件隔離方法是硅的局部氧化。
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氧化物有兩個生長階段來描述,分別是線性階段和拋物線階段。
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雖然直至今日我們仍普遍采用擴散區(qū)一詞,但是硅片制造中已不再用雜質擴散來制作pn結,取而代之的是離子注入。
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柵氧一般通過熱生長獲得。
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硅上的自然氧化層并不是一種必需的氧化材料,在隨后的工藝中要清洗去除。
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二氧化硅是一種介質材料,不導電。
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暴露在高溫的氧氣氛圍中,硅片上能生長出氧化硅。生長一詞表示這個過程實際是消耗了硅片上的硅材料。
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當硅片暴露在空氣中時,會立刻生成一層無定形的氧化硅薄膜。
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