你可能感興趣的試題

填空題
選擇性氧化常見的有（）和（），其英語縮略語分別為LOCOS和（）。
答案：局部氧化；淺槽隔離；STI
填空題
用于熱工藝的立式爐的主要控制系統(tǒng)分為五部分（）、（）、氣體分配系統(tǒng)、尾氣系統(tǒng)和（）。
答案：工藝腔；硅片傳輸系統(tǒng)；溫控系統(tǒng)
填空題
根據(jù)氧化劑的不同，熱氧化可分為（）、（）和（）。
答案：干氧氧化；濕氧氧化；水汽氧化
填空題
熱氧化工藝的基本設備有三種（）、（）和（）。
答案：臥式爐；立式爐；快速熱處理爐
填空題
制備半導體級硅的過程：1、（）；2、（）；3、（）。
答案：制備工業(yè)硅；生長硅單晶；提純
填空題
晶圓制備中的整型處理包括（）、（）和（）。
答案：去掉兩端；徑向研磨；硅片定位邊和定位槽
填空題
影響CZ直拉法的兩個主要參數(shù)是（）和（）。
答案：拉伸速率；晶體旋轉(zhuǎn)速率
填空題
CZ直拉法的目的是（）。
答案：實現(xiàn)均勻摻雜的同時并且復制仔晶的結(jié)構(gòu)，得到合適的硅錠直徑并且限制雜質(zhì)引入到硅中
填空題
CZ直拉法生長單晶硅是把（）變?yōu)椋ǎ┎⑶遥ǎ┑墓腆w硅錠。
答案：融化了的半導體級硅液體；有正確晶向的；被摻雜成p型或n型
填空題
從半導體制造來講，晶圓中用的最廣的晶體平面的密勒符號是（）、（）和（）。
答案：100；110；111

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列出熱氧化物在硅片制造的4種用途（）、（）、場氧化層和（）。

你可能感興趣的試題

選擇性氧化常見的有（）和（），其英語縮略語分別為LOCOS和（）。

用于熱工藝的立式爐的主要控制系統(tǒng)分為五部分（）、（）、氣體分配系統(tǒng)、尾氣系統(tǒng)和（）。

根據(jù)氧化劑的不同，熱氧化可分為（）、（）和（）。

熱氧化工藝的基本設備有三種（）、（）和（）。

制備半導體級硅的過程：1、（）；2、（）；3、（）。

晶圓制備中的整型處理包括（）、（）和（）。

影響CZ直拉法的兩個主要參數(shù)是（）和（）。

CZ直拉法的目的是（）。

CZ直拉法生長單晶硅是把（）變?yōu)椋ǎ┎⑶遥ǎ┑墓腆w硅錠。

從半導體制造來講，晶圓中用的最廣的晶體平面的密勒符號是（）、（）和（）。

列出熱氧化物在硅片制造的4種用途（）、（）、場氧化層和（）。

你可能感興趣的試題

選擇性氧化常見的有（）和（），其英語縮略語分別為LOCOS和（）。

用于熱工藝的立式爐的主要控制系統(tǒng)分為五部分（）、（）、氣體分配系統(tǒng)、尾氣系統(tǒng)和（）。

根據(jù)氧化劑的不同，熱氧化可分為（）、（）和（）。

熱氧化工藝的基本設備有三種（）、（）和（）。

制備半導體級硅的過程：1、（）；2、（）；3、（）。

晶圓制備中的整型處理包括（）、（）和（）。

影響CZ直拉法的兩個主要參數(shù)是（）和（）。

CZ直拉法的目的是（）。

CZ直拉法生長單晶硅是把（）變?yōu)椋ǎ┎⑶遥ǎ┑墓腆w硅錠。

從半導體制造來講，晶圓中用的最廣的晶體平面的密勒符號是（）、（）和（）。

列出熱氧化物在硅片制造的4種用途（）、（）、場氧化層和（）。

選擇性氧化常見的有（）和（），其英語縮略語分別為LOCOS和（）。

用于熱工藝的立式爐的主要控制系統(tǒng)分為五部分（）、（）、氣體分配系統(tǒng)、尾氣系統(tǒng)和（）。

根據(jù)氧化劑的不同，熱氧化可分為（）、（）和（）。

熱氧化工藝的基本設備有三種（）、（）和（）。

制備半導體級硅的過程：1、（）；2、（）；3、（）。

晶圓制備中的整型處理包括（）、（）和（）。

CZ直拉法生長單晶硅是把（）變?yōu)椋ǎ┎⑶遥ǎ┑墓腆w硅錠。

從半導體制造來講，晶圓中用的最廣的晶體平面的密勒符號是（）、（）和（）。