比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

由硅片生產(chǎn)的半導體產(chǎn)品，又被稱為（）。

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標準單位制）？

硅半導體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

目前集成電路版圖設(shè)計的主流工具有哪些？

MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。