硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

版圖設(shè)計的基本前提是什么？

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。

設(shè)計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計上采取哪些措施？

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？