MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

從天然硅中獲得達到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計上采取哪些措施？

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。