填空題用來做芯片的高純硅被稱為（），英文簡稱（），有時也被稱為（）。
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1.多項選擇題MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。
A.nMOS（n溝道）
B.pMOS（p溝道）
C.mMOS（m溝道）
3.單項選擇題把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。
A.晶體生長、硅錠
B.硅錠、晶體生長
C.晶體生長、晶胞
4.問答題版圖設(shè)計的基本前提是什么？
5.多項選擇題集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。
A.金屬膜
B.摻雜的多晶硅
C.通過雜質(zhì)擴散到襯底的特定區(qū)域中
6.單項選擇題由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。
A.寄生電容
B.共生電容
C.儲存電容
最新試題
什么是電阻率？它的單位是什么（國際標準單位制）？
題型：問答題
為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計上采取哪些措施？
題型：問答題
從天然硅中獲得達到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。
題型：多項選擇題
目前集成電路版圖設(shè)計的主流工具有哪些？
題型：問答題
利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。
題型：問答題
從設(shè)計的觀點出發(fā)，版圖設(shè)計規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？
題型：問答題
版圖設(shè)計的基本前提是什么？
題型：問答題
根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達式。
題型：問答題
在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。
題型：單項選擇題
編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？
題型：問答題