A、水凍水融
B、氣凍氣融
C、氣凍水融
D、水凍氣融
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A、水凍水融
B、氣凍氣融
C、氣凍水融
D、水凍氣融
A、單面凍融法
B、慢凍法
C、雙面凍融法
D、快凍法
A、小于C60強(qiáng)度等級時(shí)為0.95
B、小于C60強(qiáng)度等級時(shí)為1.05
C、小于C60強(qiáng)度等級時(shí)為0.85
D、不小于C60強(qiáng)度等級時(shí)應(yīng)由試驗(yàn)確定
A、試驗(yàn)?zāi)芊竦玫接行ЫY(jié)果，尚需視折斷面在試件中所處位置而定。
B、同組3個(gè)試件測值中，最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的10%時(shí)，該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無效。
C、同組3個(gè)試件測值中，最大值或最小值如有1個(gè)且僅有1個(gè)與中間值的差值超過中間值的15%時(shí)，取中間值作為該組試件的抗折強(qiáng)度值。
D、不總是能把同組3個(gè)試件測值的算術(shù)平均值作為該組試件的抗折強(qiáng)度值。
A、抗折試驗(yàn)過程中，加荷速度應(yīng)前慢后快
B、抗折試驗(yàn)過程中，加荷速度應(yīng)前快后慢
C、抗折試驗(yàn)過程中，加荷應(yīng)保持均勻、連續(xù)
D、抗折試驗(yàn)過程中，因砼抗拉性能差，加荷應(yīng)緩慢進(jìn)行
最新試題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
可用作硅片的研磨材料是（）