A、水凍水融
B、氣凍氣融
C、氣凍水融
D、水凍氣融
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A、單面凍融法
B、慢凍法
C、雙面凍融法
D、快凍法
A、小于C60強(qiáng)度等級(jí)時(shí)為0.95
B、小于C60強(qiáng)度等級(jí)時(shí)為1.05
C、小于C60強(qiáng)度等級(jí)時(shí)為0.85
D、不小于C60強(qiáng)度等級(jí)時(shí)應(yīng)由試驗(yàn)確定
A、試驗(yàn)?zāi)芊竦玫接行ЫY(jié)果，尚需視折斷面在試件中所處位置而定。
B、同組3個(gè)試件測(cè)值中，最大值和最小值與中間值的差值均超過(guò)中間值的10%時(shí)，該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無(wú)效。
C、同組3個(gè)試件測(cè)值中，最大值或最小值如有1個(gè)且僅有1個(gè)與中間值的差值超過(guò)中間值的15%時(shí)，取中間值作為該組試件的抗折強(qiáng)度值。
D、不總是能把同組3個(gè)試件測(cè)值的算術(shù)平均值作為該組試件的抗折強(qiáng)度值。
A、抗折試驗(yàn)過(guò)程中，加荷速度應(yīng)前慢后快
B、抗折試驗(yàn)過(guò)程中，加荷速度應(yīng)前快后慢
C、抗折試驗(yàn)過(guò)程中，加荷應(yīng)保持均勻、連續(xù)
D、抗折試驗(yàn)過(guò)程中，因砼抗拉性能差，加荷應(yīng)緩慢進(jìn)行
A、＜C30強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.02～0.05MPa
B、≥C30且＜C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.05～0.08MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.08～0.10MPa
D、A、B、C選項(xiàng)都不對(duì)
最新試題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱（）
硅片拋光在原理上不可分為（）
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的（）。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。