A、棱柱體抗壓強度試驗方法
B、立方體抗壓強度試驗方法
C、圓球體抗壓強度試驗方法
D、圓柱體抗壓強度試驗方法
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A、3個彈性模量試驗試件中,有2個試件的軸心抗壓強度值與用以確定試驗控制荷載的軸心抗壓強度值的差值超過后者的20%時,此次試驗的結(jié)果無效。
B、把3個試件測值的算術(shù)平均值作為該組試件的彈性模量值總是無誤的。
C、3個彈性模量試驗試件中,有2個試件的軸心抗壓強度值與用以確定試驗控制荷載的軸心抗壓強度值的差值超過后者的15%時,此次試驗的結(jié)果無效。
D、3個彈性模量試驗試件中,僅有1個試件的軸心抗壓強度值與用以確定試驗控制荷載的軸心抗壓強度值的差值超過后者的20%時,則按另2個試件的彈性模量測值的算術(shù)平均值作為該組試件的彈性模量值。
A、<C30強度等級的砼卸荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、≥C30且<C60強度等級的砼卸荷速度取每秒0.5~0.8MPa
C、≥C60強度等級的砼卸荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、A、B、C選項都對
A、<C30強度等級的砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、≥C30且<C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.5~0.8MPa
C、≥C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、A、B、C選項都對
A、基準應(yīng)力為3.3MPa,控制應(yīng)力為11.0MPa
B、基準應(yīng)力為3.3MPa,控制應(yīng)力為33.0MPa
C、基準應(yīng)力為0.5MPa,控制應(yīng)力為11.0MPa
D、基準應(yīng)力為0.5MPa,基準應(yīng)力為33.0MPa
A、變形測量儀應(yīng)安裝于試件一側(cè)
B、變形測量儀應(yīng)安裝在垂直于試件承壓面的4條棱上
C、變形測量儀應(yīng)安裝于試件兩側(cè)的中線上并對稱于試件的兩端
D、變形測量儀應(yīng)安裝于試件兩個承壓面上,承壓面應(yīng)預(yù)先開好安裝槽
最新試題
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
下列是晶體的是()。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
硅片拋光在原理上不可分為()