A、<C30強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、≥C30且<C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.5~0.8MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、A、B、C選項(xiàng)都對(duì)
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A、基準(zhǔn)應(yīng)力為3.3MPa,控制應(yīng)力為11.0MPa
B、基準(zhǔn)應(yīng)力為3.3MPa,控制應(yīng)力為33.0MPa
C、基準(zhǔn)應(yīng)力為0.5MPa,控制應(yīng)力為11.0MPa
D、基準(zhǔn)應(yīng)力為0.5MPa,基準(zhǔn)應(yīng)力為33.0MPa
A、變形測(cè)量?jī)x應(yīng)安裝于試件一側(cè)
B、變形測(cè)量?jī)x應(yīng)安裝在垂直于試件承壓面的4條棱上
C、變形測(cè)量?jī)x應(yīng)安裝于試件兩側(cè)的中線上并對(duì)稱于試件的兩端
D、變形測(cè)量?jī)x應(yīng)安裝于試件兩個(gè)承壓面上,承壓面應(yīng)預(yù)先開好安裝槽
A、每次試驗(yàn)應(yīng)制備6個(gè)試件
B、每次試驗(yàn)的6個(gè)試件,3個(gè)用于進(jìn)行軸心抗壓強(qiáng)度試驗(yàn),另3個(gè)用于測(cè)定彈性模量
C、每次試驗(yàn)的6個(gè)試件都是用于測(cè)定彈性模量,因?yàn)闃?biāo)準(zhǔn)規(guī)定靜力受壓彈性模量試驗(yàn)是6個(gè)試件為一組
D、每次試驗(yàn)的6個(gè)試件,1個(gè)用于進(jìn)行軸心抗壓強(qiáng)度試驗(yàn),另5個(gè)用于測(cè)定彈性模量
A、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的100×100×300mm棱柱體試件為1.05
B、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的100×100×300mm棱柱體試件為0.95
C、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的200×200×400mm棱柱體試件為0.95
D、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的200×200×400mm棱柱體試件為1.05
A、11.9MPa
B、21.1MPa
C、47.5MPa
D、45.1MPa
最新試題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見的是少子陷阱。
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱()
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。