A、3個彈性模量試驗試件中,有2個試件的軸心抗壓強(qiáng)度值與用以確定試驗控制荷載的軸心抗壓強(qiáng)度值的差值超過后者的20%時,此次試驗的結(jié)果無效。
B、把3個試件測值的算術(shù)平均值作為該組試件的彈性模量值總是無誤的。
C、3個彈性模量試驗試件中,有2個試件的軸心抗壓強(qiáng)度值與用以確定試驗控制荷載的軸心抗壓強(qiáng)度值的差值超過后者的15%時,此次試驗的結(jié)果無效。
D、3個彈性模量試驗試件中,僅有1個試件的軸心抗壓強(qiáng)度值與用以確定試驗控制荷載的軸心抗壓強(qiáng)度值的差值超過后者的20%時,則按另2個試件的彈性模量測值的算術(shù)平均值作為該組試件的彈性模量值。
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A、<C30強(qiáng)度等級的砼卸荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、≥C30且<C60強(qiáng)度等級的砼卸荷速度取每秒0.5~0.8MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級的砼卸荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、A、B、C選項都對
A、<C30強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、≥C30且<C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.5~0.8MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、A、B、C選項都對
A、基準(zhǔn)應(yīng)力為3.3MPa,控制應(yīng)力為11.0MPa
B、基準(zhǔn)應(yīng)力為3.3MPa,控制應(yīng)力為33.0MPa
C、基準(zhǔn)應(yīng)力為0.5MPa,控制應(yīng)力為11.0MPa
D、基準(zhǔn)應(yīng)力為0.5MPa,基準(zhǔn)應(yīng)力為33.0MPa
A、變形測量儀應(yīng)安裝于試件一側(cè)
B、變形測量儀應(yīng)安裝在垂直于試件承壓面的4條棱上
C、變形測量儀應(yīng)安裝于試件兩側(cè)的中線上并對稱于試件的兩端
D、變形測量儀應(yīng)安裝于試件兩個承壓面上,承壓面應(yīng)預(yù)先開好安裝槽
A、每次試驗應(yīng)制備6個試件
B、每次試驗的6個試件,3個用于進(jìn)行軸心抗壓強(qiáng)度試驗,另3個用于測定彈性模量
C、每次試驗的6個試件都是用于測定彈性模量,因為標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定靜力受壓彈性模量試驗是6個試件為一組
D、每次試驗的6個試件,1個用于進(jìn)行軸心抗壓強(qiáng)度試驗,另5個用于測定彈性模量
最新試題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
可用作硅片的研磨材料是()
下列哪個不是單晶常用的晶向()
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
下列是晶體的是()。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()