A、插搗不均勻
B、提筒時(shí)歪斜
C、底板干濕不勻
D、底板傾斜
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A、坍落度法
B、坍落擴(kuò)展度法
C、維勃稠度法
D、增實(shí)因素法
A、流動(dòng)性
B、凝結(jié)時(shí)間
C、黏聚性
D、保水性
A、稠度
B、凝結(jié)時(shí)間
C、碳化深度
D、泌水率
A、同一檢驗(yàn)批只進(jìn)行一組試驗(yàn)時(shí),應(yīng)將試驗(yàn)結(jié)果作為檢驗(yàn)結(jié)果
B、同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)時(shí),應(yīng)取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的最小值作為檢驗(yàn)結(jié)果
C、同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)時(shí),應(yīng)取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的最大值作為檢驗(yàn)結(jié)果
D、同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)時(shí),應(yīng)取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的平均值作為檢驗(yàn)結(jié)果
A、同一檢驗(yàn)批只進(jìn)行一組試驗(yàn)時(shí),應(yīng)將試驗(yàn)結(jié)果作為檢驗(yàn)結(jié)果
B、同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)時(shí),應(yīng)取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的最小值作為檢驗(yàn)結(jié)果
C、同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)時(shí),應(yīng)取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的最大值作為檢驗(yàn)結(jié)果
D、同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)時(shí),應(yīng)取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的平均值作為檢驗(yàn)結(jié)果
最新試題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門(mén)子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
可用作硅片的研磨材料是()
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括()
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();