A、流動(dòng)性
B、凝結(jié)時(shí)間
C、黏聚性
D、保水性
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A、稠度
B、凝結(jié)時(shí)間
C、碳化深度
D、泌水率
A、同一檢驗(yàn)批只進(jìn)行一組試驗(yàn)時(shí),應(yīng)將試驗(yàn)結(jié)果作為檢驗(yàn)結(jié)果
B、同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)時(shí),應(yīng)取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的最小值作為檢驗(yàn)結(jié)果
C、同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)時(shí),應(yīng)取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的最大值作為檢驗(yàn)結(jié)果
D、同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)時(shí),應(yīng)取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的平均值作為檢驗(yàn)結(jié)果
A、同一檢驗(yàn)批只進(jìn)行一組試驗(yàn)時(shí),應(yīng)將試驗(yàn)結(jié)果作為檢驗(yàn)結(jié)果
B、同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)時(shí),應(yīng)取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的最小值作為檢驗(yàn)結(jié)果
C、同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)時(shí),應(yīng)取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的最大值作為檢驗(yàn)結(jié)果
D、同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)時(shí),應(yīng)取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的平均值作為檢驗(yàn)結(jié)果
A、對(duì)于同一檢驗(yàn)批只進(jìn)行一組試驗(yàn)的檢驗(yàn)項(xiàng)目,應(yīng)將試驗(yàn)結(jié)果作為檢驗(yàn)結(jié)果
B、對(duì)于同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)的檢驗(yàn)項(xiàng)目,應(yīng)取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的最小值作為檢驗(yàn)結(jié)果
C、對(duì)于同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)的檢驗(yàn)項(xiàng)目,應(yīng)取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的最大值作為檢驗(yàn)結(jié)果
D、對(duì)于同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)的檢驗(yàn)項(xiàng)目,應(yīng)按不同的性能項(xiàng)目取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的最小值或最大值作為檢驗(yàn)結(jié)果
A、同一檢驗(yàn)批砼的強(qiáng)度等級(jí)、齡期、生產(chǎn)工藝和配合比應(yīng)相同
B、對(duì)于同一工程、同一配合比的砼,檢驗(yàn)批不應(yīng)少于一個(gè)
C、對(duì)于同一檢驗(yàn)批,設(shè)計(jì)要求的各個(gè)檢驗(yàn)項(xiàng)目應(yīng)至少完成一組試驗(yàn)
D、對(duì)于同一檢驗(yàn)批,設(shè)計(jì)要求的各個(gè)檢驗(yàn)項(xiàng)目應(yīng)至少完成三組試驗(yàn)
最新試題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
硅片拋光在原理上不可分為()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的()。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見(jiàn)的是少子陷阱。
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()