A、坍落度法
B、坍落擴(kuò)展度法
C、維勃稠度法
D、增實(shí)因素法
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A、流動(dòng)性
B、凝結(jié)時(shí)間
C、黏聚性
D、保水性
A、稠度
B、凝結(jié)時(shí)間
C、碳化深度
D、泌水率
A、同一檢驗(yàn)批只進(jìn)行一組試驗(yàn)時(shí),應(yīng)將試驗(yàn)結(jié)果作為檢驗(yàn)結(jié)果
B、同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)時(shí),應(yīng)取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的最小值作為檢驗(yàn)結(jié)果
C、同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)時(shí),應(yīng)取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的最大值作為檢驗(yàn)結(jié)果
D、同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)時(shí),應(yīng)取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的平均值作為檢驗(yàn)結(jié)果
A、同一檢驗(yàn)批只進(jìn)行一組試驗(yàn)時(shí),應(yīng)將試驗(yàn)結(jié)果作為檢驗(yàn)結(jié)果
B、同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)時(shí),應(yīng)取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的最小值作為檢驗(yàn)結(jié)果
C、同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)時(shí),應(yīng)取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的最大值作為檢驗(yàn)結(jié)果
D、同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)時(shí),應(yīng)取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的平均值作為檢驗(yàn)結(jié)果
A、對(duì)于同一檢驗(yàn)批只進(jìn)行一組試驗(yàn)的檢驗(yàn)項(xiàng)目,應(yīng)將試驗(yàn)結(jié)果作為檢驗(yàn)結(jié)果
B、對(duì)于同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)的檢驗(yàn)項(xiàng)目,應(yīng)取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的最小值作為檢驗(yàn)結(jié)果
C、對(duì)于同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)的檢驗(yàn)項(xiàng)目,應(yīng)取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的最大值作為檢驗(yàn)結(jié)果
D、對(duì)于同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)的檢驗(yàn)項(xiàng)目,應(yīng)按不同的性能項(xiàng)目取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的最小值或最大值作為檢驗(yàn)結(jié)果
最新試題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的()。
下列是晶體的是()。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段?()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()