A、對于同一檢驗批只進行一組試驗的檢驗項目,應(yīng)將試驗結(jié)果作為檢驗結(jié)果
B、對于同一檢驗批進行了一組以上試驗的檢驗項目,應(yīng)取所有組試驗結(jié)果中的最小值作為檢驗結(jié)果
C、對于同一檢驗批進行了一組以上試驗的檢驗項目,應(yīng)取所有組試驗結(jié)果中的最大值作為檢驗結(jié)果
D、對于同一檢驗批進行了一組以上試驗的檢驗項目,應(yīng)按不同的性能項目取所有組試驗結(jié)果中的最小值或最大值作為檢驗結(jié)果
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A、同一檢驗批砼的強度等級、齡期、生產(chǎn)工藝和配合比應(yīng)相同
B、對于同一工程、同一配合比的砼,檢驗批不應(yīng)少于一個
C、對于同一檢驗批,設(shè)計要求的各個檢驗項目應(yīng)至少完成一組試驗
D、對于同一檢驗批,設(shè)計要求的各個檢驗項目應(yīng)至少完成三組試驗
A、耐久性檢驗評定的項目及其等級應(yīng)根據(jù)施工要求確定
B、對于需要進行耐久性檢驗評定的砼,其強度應(yīng)滿足設(shè)計要求
C、耐久性檢驗評定的依據(jù)是《砼強度檢驗評定標準》GB/T50107-2010標準
D、耐久性檢驗評定的項目及其等級應(yīng)根據(jù)設(shè)計要求確定
A、抗氯離子滲透性能
B、劈裂抗拉性能
C、抗碳化性能
D、早期抗裂性能
A、因素分析法
B、統(tǒng)計法
C、加權(quán)比例法
D、非統(tǒng)計法
A、強度等級相同
B、強度試驗齡期相同
C、砼生產(chǎn)工藝條件基本相同
D、砼配合比基本相同
最新試題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()