單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中燒結(jié)普通磚用普通制樣法制成的抹面試件應(yīng)置于不低于（）的不通風(fēng)室內(nèi)養(yǎng)護(hù)（）。
A、20℃.3d
B、10℃.3d
C、10℃.1d
D、20℃.1d
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1.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中在燒結(jié)普通磚制樣時，兩磚樣中間抹以厚度不超過（）的用強(qiáng)度等級32.5的普通硅酸鹽水泥調(diào)制成稠度適宜的水泥凈漿粘結(jié)，上下兩面用厚度不超過（）的同種水泥漿抹平。
A、3mm.5mm
B、3mm.3mm
C、5mm.5mm
D、5mm.3mm
2.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中在燒結(jié)普通磚制樣時，應(yīng)將切斷的磚樣放入室內(nèi)的凈水中浸（）后，以斷口（）方向疊加制備。
A、10min～20min相反
B、10min～20min相同
C、10min相反
D、20min相同
3.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中在燒結(jié)普通磚制樣時，應(yīng)將磚樣切斷或鋸成兩個半截磚，每個半截磚長不得小于（），如果不足，應(yīng)另取備用磚補(bǔ)足。
A、100mm
B、90mm
C、110mm
D、120mm
4.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)的材料試驗(yàn)機(jī)示值相對誤差不大于（）。
A、±1%
B、±0.5%
C、±1.5%
D、±2%
5.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)的材料試驗(yàn)機(jī)預(yù)期最大破壞荷載應(yīng)在量程的（）之間。
A、10%～80%
B、20%～80%
C、10%～90%
D、20%～90%
最新試題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
題型：單項(xiàng)選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項(xiàng)選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項(xiàng)選擇題
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
PN結(jié)的基本特性是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
題型：單項(xiàng)選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項(xiàng)選擇題