單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中抗壓強度試驗的材料試驗機示值相對誤差不大于（）。
A、±1%
B、±0.5%
C、±1.5%
D、±2%
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中抗壓強度試驗的材料試驗機預(yù)期最大破壞荷載應(yīng)在量程的（）之間。
A、10%～80%
B、20%～80%
C、10%～90%
D、20%～90%
2.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中抗折強度精確至（），抗壓強度精確至（）。
A、0.1MPa，0.01MPa
B、0.01MPa，0.1MPa
C、0.01MPa，0.01MPa
D、0.1MPa，0.1MPa
3.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中做抗折強度試驗時，應(yīng)以（）N/s的速度均勻加荷直至試件斷裂。
A、50
B、150
C、50或150
D、50～150
4.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中抗折強度試驗的抗折夾具下支輥的跨距為磚規(guī)格長度減去（），但規(guī)格長度為190mm的磚，其跨距為（）。
A、40mm170mm
B、40mm160mm
C、30mm170mm
D、30mm160mm
5.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中抗折強度試驗的磚樣應(yīng)進(jìn)行處理，處理方式為將非燒結(jié)磚放入（）的水中浸泡（）后取出，用濕布拭去其表面水分，再進(jìn)行抗折試驗。
A、（20±5）℃48h
B、（20±5）℃24h
C、（20±10）℃48h
D、（20±10）℃24h
最新試題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
題型：單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項選擇題
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
題型：單項選擇題