問(wèn)答題簡(jiǎn)述光刻工藝的8個(gè)基本步驟。
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1.問(wèn)答題簡(jiǎn)述部分離子注入工藝的作用。
2.問(wèn)答題簡(jiǎn)述在先進(jìn)的CMOS工藝中，離子注入的應(yīng)用。
3.問(wèn)答題簡(jiǎn)述離子注入退火目的與方法。
4.問(wèn)答題簡(jiǎn)述離子注入效應(yīng)。
最新試題
編寫(xiě)DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}
MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響？
題型：?jiǎn)柎痤}
從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過(guò)（）等步驟。
題型：多項(xiàng)選擇題
半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。
題型：多項(xiàng)選擇題
集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？
題型：?jiǎn)柎痤}
版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}
硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來(lái)源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。
題型：多項(xiàng)選擇題
為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？
題型：?jiǎn)柎痤}
在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫(huà)出Vx從一個(gè)大的正值下降時(shí)Ix的草圖。
題型：?jiǎn)柎痤}
試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。
題型：?jiǎn)柎痤}