圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

材料根據流經材電流的不同可分為三類（）。

硅半導體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產生的（）材料等。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

規(guī)定版圖幾何設計規(guī)則的意義是什么？

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

由于襯底材料的緣故會自動產生電容，這種電容稱為（）。

BiCMOS技術就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結構的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結構的高電流驅動能力。