版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

什么是MOS器件的體效應？

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。

試用電導率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設計1kΩ的電阻，設電阻寬1μm，求其長。

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。