把半導體級硅的多晶硅塊，轉換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

版圖設計的基本前提是什么？

根據圖，給出M2管的漏極電流表達式。

由于襯底材料的緣故會自動產生電容，這種電容稱為（）。

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據是什么？

MOS器件存在哪些二階效應？

半導體工藝技術中，器件互連材料通常包括（）等。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。