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判斷題
CVD系統(tǒng)包括熱壁式CVD系統(tǒng)和冷壁式CVD系統(tǒng)，在冷壁式CVD系統(tǒng)中側(cè)壁溫度與沉底溫度相等。
答案：錯(cuò)誤
判斷題
常用的濺射鍍膜方法有直流濺射、射頻濺射、磁控濺射，其中磁控濺射的氣壓最低、靶電流密度最高。
答案：正確
判斷題
蒸發(fā)鍍膜中電阻加熱源可分為直接加熱源和間接加熱源，其中間接加熱源是把待蒸發(fā)材料放入坩堝中，對(duì)坩堝進(jìn)行間接加熱。
答案：正確
判斷題
蒸發(fā)鍍膜中電阻加熱源可分為直接加熱源和間接加熱源，其中直接加熱源的加熱體和待蒸發(fā)材料的載體為同一物體；而間接加熱源是把待蒸發(fā)材料放入坩堝中進(jìn)行間接加熱。
答案：正確
判斷題
離子注入工藝中入射離子能量低于臨界能量時(shí)核阻止本領(lǐng)占主導(dǎo)，高于臨界能量時(shí)電子阻止本領(lǐng)占主導(dǎo)。
答案：正確
判斷題
有限表面源擴(kuò)散與離子注入的雜質(zhì)分布都滿足高斯函數(shù)，兩種摻雜工藝雜質(zhì)最高濃度位置都在硅片表面。
答案：錯(cuò)誤
判斷題
離子注入工藝中被摻雜的材料稱為靶，靶材料可以是晶體，也可以是非晶體，非晶靶也稱為無定形靶。
答案：正確
判斷題
熱擴(kuò)散摻雜的工藝可以一步實(shí)現(xiàn)。
答案：錯(cuò)誤
判斷題
替位式擴(kuò)散就是替位雜質(zhì)和鄰近晶格位置上的原子互換。
答案：錯(cuò)誤
判斷題
雜質(zhì)在硅晶體中的擴(kuò)散機(jī)制主要有兩種：間隙式擴(kuò)散、替位式擴(kuò)散。其中間隙式擴(kuò)散比替位式擴(kuò)散困難。
答案：錯(cuò)誤

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實(shí)現(xiàn)對(duì)CVD淀積多晶硅摻雜主要有三種工藝：擴(kuò)散、離子注入、原位摻雜。由于原位摻雜比較簡單，所以被廣泛采用。

你可能感興趣的試題

CVD系統(tǒng)包括熱壁式CVD系統(tǒng)和冷壁式CVD系統(tǒng)，在冷壁式CVD系統(tǒng)中側(cè)壁溫度與沉底溫度相等。

常用的濺射鍍膜方法有直流濺射、射頻濺射、磁控濺射，其中磁控濺射的氣壓最低、靶電流密度最高。

蒸發(fā)鍍膜中電阻加熱源可分為直接加熱源和間接加熱源，其中間接加熱源是把待蒸發(fā)材料放入坩堝中，對(duì)坩堝進(jìn)行間接加熱。

蒸發(fā)鍍膜中電阻加熱源可分為直接加熱源和間接加熱源，其中直接加熱源的加熱體和待蒸發(fā)材料的載體為同一物體；而間接加熱源是把待蒸發(fā)材料放入坩堝中進(jìn)行間接加熱。

離子注入工藝中入射離子能量低于臨界能量時(shí)核阻止本領(lǐng)占主導(dǎo)，高于臨界能量時(shí)電子阻止本領(lǐng)占主導(dǎo)。

有限表面源擴(kuò)散與離子注入的雜質(zhì)分布都滿足高斯函數(shù)，兩種摻雜工藝雜質(zhì)最高濃度位置都在硅片表面。

離子注入工藝中被摻雜的材料稱為靶，靶材料可以是晶體，也可以是非晶體，非晶靶也稱為無定形靶。

熱擴(kuò)散摻雜的工藝可以一步實(shí)現(xiàn)。

替位式擴(kuò)散就是替位雜質(zhì)和鄰近晶格位置上的原子互換。

雜質(zhì)在硅晶體中的擴(kuò)散機(jī)制主要有兩種：間隙式擴(kuò)散、替位式擴(kuò)散。其中間隙式擴(kuò)散比替位式擴(kuò)散困難。

實(shí)現(xiàn)對(duì)CVD淀積多晶硅摻雜主要有三種工藝：擴(kuò)散、離子注入、原位摻雜。由于原位摻雜比較簡單，所以被廣泛采用。

你可能感興趣的試題

CVD系統(tǒng)包括熱壁式CVD系統(tǒng)和冷壁式CVD系統(tǒng)，在冷壁式CVD系統(tǒng)中側(cè)壁溫度與沉底溫度相等。

常用的濺射鍍膜方法有直流濺射、射頻濺射、磁控濺射，其中磁控濺射的氣壓最低、靶電流密度最高。

蒸發(fā)鍍膜中電阻加熱源可分為直接加熱源和間接加熱源，其中間接加熱源是把待蒸發(fā)材料放入坩堝中，對(duì)坩堝進(jìn)行間接加熱。

蒸發(fā)鍍膜中電阻加熱源可分為直接加熱源和間接加熱源，其中直接加熱源的加熱體和待蒸發(fā)材料的載體為同一物體；而間接加熱源是把待蒸發(fā)材料放入坩堝中進(jìn)行間接加熱。

離子注入工藝中入射離子能量低于臨界能量時(shí)核阻止本領(lǐng)占主導(dǎo)，高于臨界能量時(shí)電子阻止本領(lǐng)占主導(dǎo)。

有限表面源擴(kuò)散與離子注入的雜質(zhì)分布都滿足高斯函數(shù)，兩種摻雜工藝雜質(zhì)最高濃度位置都在硅片表面。

離子注入工藝中被摻雜的材料稱為靶，靶材料可以是晶體，也可以是非晶體，非晶靶也稱為無定形靶。

熱擴(kuò)散摻雜的工藝可以一步實(shí)現(xiàn)。

替位式擴(kuò)散就是替位雜質(zhì)和鄰近晶格位置上的原子互換。

雜質(zhì)在硅晶體中的擴(kuò)散機(jī)制主要有兩種：間隙式擴(kuò)散、替位式擴(kuò)散。其中間隙式擴(kuò)散比替位式擴(kuò)散困難。

實(shí)現(xiàn)對(duì)CVD淀積多晶硅摻雜主要有三種工藝：擴(kuò)散、離子注入、原位摻雜。由于原位摻雜比較簡單，所以被廣泛采用。

CVD系統(tǒng)包括熱壁式CVD系統(tǒng)和冷壁式CVD系統(tǒng)，在冷壁式CVD系統(tǒng)中側(cè)壁溫度與沉底溫度相等。

常用的濺射鍍膜方法有直流濺射、射頻濺射、磁控濺射，其中磁控濺射的氣壓最低、靶電流密度最高。

蒸發(fā)鍍膜中電阻加熱源可分為直接加熱源和間接加熱源，其中間接加熱源是把待蒸發(fā)材料放入坩堝中，對(duì)坩堝進(jìn)行間接加熱。

蒸發(fā)鍍膜中電阻加熱源可分為直接加熱源和間接加熱源，其中直接加熱源的加熱體和待蒸發(fā)材料的載體為同一物體；而間接加熱源是把待蒸發(fā)材料放入坩堝中進(jìn)行間接加熱。

離子注入工藝中入射離子能量低于臨界能量時(shí)核阻止本領(lǐng)占主導(dǎo)，高于臨界能量時(shí)電子阻止本領(lǐng)占主導(dǎo)。

有限表面源擴(kuò)散與離子注入的雜質(zhì)分布都滿足高斯函數(shù)，兩種摻雜工藝雜質(zhì)最高濃度位置都在硅片表面。

離子注入工藝中被摻雜的材料稱為靶，靶材料可以是晶體，也可以是非晶體，非晶靶也稱為無定形靶。

熱擴(kuò)散摻雜的工藝可以一步實(shí)現(xiàn)。

雜質(zhì)在硅晶體中的擴(kuò)散機(jī)制主要有兩種：間隙式擴(kuò)散、替位式擴(kuò)散。其中間隙式擴(kuò)散比替位式擴(kuò)散困難。