目前集成電路版圖設(shè)計的主流工具有哪些？

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。

把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？

規(guī)定版圖幾何設(shè)計規(guī)則的意義是什么？

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。