判斷題有限表面源擴散與離子注入的雜質(zhì)分布都滿足高斯函數(shù),兩種摻雜工藝雜質(zhì)最高濃度位置都在硅片表面。
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集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)?
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從設計的觀點出發(fā),版圖設計規(guī)則應包括哪些部分?
題型:問答題
BiCMOS技術(shù)就是將()和()的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。
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材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類()。
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MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響?
題型:問答題
試用電導率為102/(Ω·cm),厚1μm的材料設計1kΩ的電阻,設電阻寬1μm,求其長。
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MOS場效應管(MOSFET)在20世紀70年代得到了廣泛的接受,從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類()和()。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。
題型:多項選擇題
什么是無源電阻?什么是有源電阻?舉例說明。
題型:問答題
版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么?
題型:問答題