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微電子學問答題每日一練(2020.03.15)
問答題
光刻技術(shù)中的常見問題有那些?
答案:
半導體器件和集成電路的制造對光刻質(zhì)量有如下要求:
一是刻蝕的圖形完整,尺寸準確,邊緣整齊陡直;
二是...
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問答題
如果熱生長氧化層厚度為2000A,那么Si消耗多少?
答案:
920A(每生長1000A的氧化物,就有460A的硅被消耗)
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問答題
什么叫“結(jié)尖刺效應(yīng)”,集成電路工藝中如何避免鋁的結(jié)尖刺效應(yīng)?
答案:
硅可以溶解在鋁中。在源/漏區(qū),鋁金屬會與硅直接接觸,硅會溶入鋁中,而鋁會擴散進入硅內(nèi)形成鋁尖凸物。鋁的尖凸物可以穿透摻雜...
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問答題
簡述影響氧化速率的因素?
答案:
①氧化方式(干氧、濕氧或水汽氧化、等離子增強氧化)氣氛:摻氯氣氛增加氧化速率。
②氣壓:氧化速率與氧化劑分壓成...
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問答題
簡述鉭在銅互連工藝中的作用
答案:
①鉭作為銅淀積前的阻擋層,可以防止銅擴散穿過氧化硅進入硅襯底損壞元器件。
②鉭與鈦、氮化鈦阻擋層材料相比,是一...
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