問(wèn)答題簡(jiǎn)述影響氧化速率的因素?
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光刻工藝的設(shè)備核心是()。
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刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移?()
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摻雜后,退火的目的是()。
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消除鳥(niǎo)嘴效應(yīng)的方法有()。
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摻雜后退火時(shí)間一般在()。
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新的平坦化方法有哪幾個(gè)?()
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光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括()。
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互連工藝中AL的制備可選用()。
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硅暴露在空氣中,在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層,厚度約為()。
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注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)?()
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