單項選擇題材料的體積、面積或長度隨溫度的變化而變化，這是材料的（）。
A.熱膨脹系數(shù)
B.熱失配系數(shù)
C.熱應力系數(shù)
D.熱應變系數(shù)
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題潮氣滲透可用以下哪種方法測定？（）
A.稱重池
B.隔離池
C.吸收因子
D.膨脹系數(shù)
2.多項選擇題多芯片組件封裝的基板材料可以為（）。
A.玻璃
B.金屬
C.高分子材料
D.陶瓷
3.單項選擇題芯片尺寸封裝的封裝面積與裸芯片面積的比例為（）。
A.1.1：1
B.1.3：1
C.1：1
D.1.2：1
4.單項選擇題以下封裝方式擁有最高封裝密度的是（）。
A.倒裝焊
B.熱壓鍵合
C.引線鍵合
D.載帶自動焊
5.多項選擇題陶瓷熔封雙列直插式封裝結(jié)構(gòu)簡單，其三個基本零部件為（）。
A.陶瓷框架
B.封裝蓋板
C.粘接底座
D.鍵合引線
最新試題
刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：單項選擇題
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
題型：單項選擇題
下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質(zhì)量的指標？（）
題型：單項選擇題
摻雜后退火時間一般在（）。
題型：單項選擇題
下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
題型：單項選擇題
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。
題型：判斷題
刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
題型：多項選擇題
碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。
題型：判斷題
CMP的設備構(gòu)成包括（）。
題型：多項選擇題
如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）
題型：單項選擇題