單項(xiàng)選擇題關(guān)于鋰的漂移特性及P-I-N結(jié)形成,下列說法錯(cuò)誤的是()。
A.Li為施主雜質(zhì)
B.鋰離子是用于漂移成探測器的唯一可用離子
C.基體用N型半導(dǎo)體
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1.單項(xiàng)選擇題PN結(jié)半導(dǎo)體探測器通常采用哪種前置放大器?()
A.電流型前置放大器
B.電壓型前置放大器
C.電荷靈敏前置放大器
D.不需要使用前置放大器
2.單項(xiàng)選擇題關(guān)于PN結(jié)半導(dǎo)體探測器,下列說法正確的是()。
A.結(jié)區(qū)的電場為均勻電場
B.耗盡區(qū)的寬度與摻雜濃度無關(guān)
C.結(jié)區(qū)電容與外加電壓無關(guān)
D.外加電壓增大,耗盡層的寬度增加
3.單項(xiàng)選擇題關(guān)于半導(dǎo)體作為探測器介質(zhì)的物理性能,下列說法錯(cuò)誤的是()。
A.平均電離能比閃爍體探測器低
B.載流子數(shù)目服從泊松分布
C.電子遷移率與空穴遷移率相近
D.摻雜會大大降低半導(dǎo)體的電阻率
4.單項(xiàng)選擇題下列哪兩種性質(zhì)是組成半導(dǎo)體探測器的關(guān)鍵?()
A.高的電阻率,短的載流子壽命
B.高的電阻率,長的載流子壽命
C.低的電阻率,長的載流子壽命
D.低的電阻率,短的載流子壽命
5.單項(xiàng)選擇題摻雜下列哪種元素的雜質(zhì)半導(dǎo)體是屬于間隙型的?()
A.Li
B.B
C.P
D.Al
最新試題
改變下列哪項(xiàng)不會對活度探測產(chǎn)生明顯影響?()
題型:單項(xiàng)選擇題
幾何因素對探測器測量活度的影響描述正確的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
同位素中子源不包括哪一種?()
題型:單項(xiàng)選擇題
對于(D,D)反應(yīng)和(D,T)反應(yīng),下列描述正確的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
測量厚樣品α源,下列說法正確的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
關(guān)于符合的描述,下列說法正確的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
軔致輻射對γ能譜的影響,描述錯(cuò)誤的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
下列關(guān)于反符合的描述正確的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
測量β射線的活度,下列說法錯(cuò)誤的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
下列對γ能譜的描述,錯(cuò)誤的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題