單項(xiàng)選擇題關(guān)于PN結(jié)半導(dǎo)體探測(cè)器，下列說法正確的是（）。
A.結(jié)區(qū)的電場(chǎng)為均勻電場(chǎng)
B.耗盡區(qū)的寬度與摻雜濃度無關(guān)
C.結(jié)區(qū)電容與外加電壓無關(guān)
D.外加電壓增大，耗盡層的寬度增加
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1.單項(xiàng)選擇題關(guān)于半導(dǎo)體作為探測(cè)器介質(zhì)的物理性能，下列說法錯(cuò)誤的是（）。
A.平均電離能比閃爍體探測(cè)器低
B.載流子數(shù)目服從泊松分布
C.電子遷移率與空穴遷移率相近
D.摻雜會(huì)大大降低半導(dǎo)體的電阻率
2.單項(xiàng)選擇題下列哪兩種性質(zhì)是組成半導(dǎo)體探測(cè)器的關(guān)鍵？（）
A.高的電阻率，短的載流子壽命
B.高的電阻率，長的載流子壽命
C.低的電阻率，長的載流子壽命
D.低的電阻率，短的載流子壽命
3.單項(xiàng)選擇題摻雜下列哪種元素的雜質(zhì)半導(dǎo)體是屬于間隙型的？（）
A.Li
B.B
C.P
D.Al
4.單項(xiàng)選擇題與氣體探測(cè)器相比，下列哪一項(xiàng)不是半導(dǎo)體探測(cè)器的優(yōu)點(diǎn)？（）
A.能量分辨率好
B.對(duì)γ射線的探測(cè)效率高
C.結(jié)構(gòu)緊湊
D.不易受射線損傷
5.單項(xiàng)選擇題下列哪項(xiàng)不是閃爍探測(cè)器必備的構(gòu)成部分？（）
A.光電倍增器件
B.組分恒定的氣體環(huán)境
C.閃爍體
D.前置放大器
最新試題
下列對(duì)真偶符合比的描述正確的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
對(duì)偶然符合描述正確的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
測(cè)量β射線的活度，下列說法錯(cuò)誤的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列關(guān)于真符合的描述錯(cuò)誤的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列哪項(xiàng)不屬于中子探測(cè)方法？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列對(duì)中子慢化的描述正確的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
小立體角法是測(cè)量α源活度的手段之一，關(guān)于此方法的描述錯(cuò)誤的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列對(duì)γ能譜的描述，錯(cuò)誤的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
關(guān)于自發(fā)裂變中子源的描述正確的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列對(duì)于常用的中子探測(cè)器的描述不正確的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題