單項(xiàng)選擇題PN結(jié)半導(dǎo)體探測(cè)器通常采用哪種前置放大器?()

A.電流型前置放大器
B.電壓型前置放大器
C.電荷靈敏前置放大器
D.不需要使用前置放大器


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1.單項(xiàng)選擇題關(guān)于PN結(jié)半導(dǎo)體探測(cè)器,下列說(shuō)法正確的是()。

A.結(jié)區(qū)的電場(chǎng)為均勻電場(chǎng)
B.耗盡區(qū)的寬度與摻雜濃度無(wú)關(guān)
C.結(jié)區(qū)電容與外加電壓無(wú)關(guān)
D.外加電壓增大,耗盡層的寬度增加

2.單項(xiàng)選擇題關(guān)于半導(dǎo)體作為探測(cè)器介質(zhì)的物理性能,下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是()。

A.平均電離能比閃爍體探測(cè)器低
B.載流子數(shù)目服從泊松分布
C.電子遷移率與空穴遷移率相近
D.摻雜會(huì)大大降低半導(dǎo)體的電阻率

3.單項(xiàng)選擇題下列哪兩種性質(zhì)是組成半導(dǎo)體探測(cè)器的關(guān)鍵?()

A.高的電阻率,短的載流子壽命
B.高的電阻率,長(zhǎng)的載流子壽命
C.低的電阻率,長(zhǎng)的載流子壽命
D.低的電阻率,短的載流子壽命

5.單項(xiàng)選擇題與氣體探測(cè)器相比,下列哪一項(xiàng)不是半導(dǎo)體探測(cè)器的優(yōu)點(diǎn)?()

A.能量分辨率好
B.對(duì)γ射線(xiàn)的探測(cè)效率高
C.結(jié)構(gòu)緊湊
D.不易受射線(xiàn)損傷