單項(xiàng)選擇題下列關(guān)于反符合的描述正確的是（）。

A.反符合電路利用“或”門(mén)來(lái)實(shí)現(xiàn)
B.反符合中的兩個(gè)事件必須是完全無(wú)關(guān)的
C.反符合的功能可以利用多個(gè)探測(cè)器實(shí)現(xiàn)
D.反符合與符合在電路設(shè)計(jì)、探測(cè)器信號(hào)連接上都完全不同


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1.單項(xiàng)選擇題下列關(guān)于真符合的描述錯(cuò)誤的是（）。

A.這兩個(gè)或多個(gè)事件的發(fā)生是完全相關(guān)的
B.符合分辨時(shí)間是為方便電子學(xué)實(shí)現(xiàn)而引入的，真符合的事件必定發(fā)生在同一時(shí)刻
C.真符合中的兩個(gè)事件發(fā)生的時(shí)刻可以是近似同時(shí)
D.符合電路利用“與”門(mén)來(lái)實(shí)現(xiàn)

2.單項(xiàng)選擇題關(guān)于符合的描述，下列說(shuō)法正確的是（）。

A.符合事件指的是同時(shí)發(fā)生的兩個(gè)或多個(gè)事件
B.同時(shí)發(fā)生的兩個(gè)事件若沒(méi)有因果關(guān)系，不能算符合
C.同時(shí)指的是同一時(shí)刻，而不是一個(gè)時(shí)間段內(nèi)，所以實(shí)際中的符合非常少見(jiàn)
D.符合可以用在粒子甄別上，但是反符合不行

3.單項(xiàng)選擇題對(duì)于β射線(xiàn)活度測(cè)量的諸多修正的描述錯(cuò)誤的是（）。

A.坪斜修正可以降低工作電壓偏高對(duì)結(jié)果的影響
B.高Z材料會(huì)加強(qiáng)反散射效果，所以要用低Z材料做源托
C.β射線(xiàn)在介質(zhì)中的被吸收規(guī)律近似服從指數(shù)規(guī)律
D.β射線(xiàn)穿透力強(qiáng)于α粒子，故而不需要考慮源的自吸收問(wèn)題

4.單項(xiàng)選擇題測(cè)量β射線(xiàn)的活度，下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。

A.不能用小立體角法測(cè)量
B.需要考慮軔致輻射效應(yīng)
C.需要考慮電子散射問(wèn)題
D.不需要真空的測(cè)量環(huán)境

5.單項(xiàng)選擇題測(cè)量厚樣品α源，下列說(shuō)法正確的是（）。

A.不需要考慮源的自吸收
B.厚樣品在實(shí)際中很少見(jiàn)
C.樣品厚度達(dá)到一定值后，再增大其厚度，測(cè)量的活度基本不變
D.樣品不同位置薄層中的α粒子出射的概率是一樣的