A.鍺
B.塑料
C.銅
D.云母
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A.輸入電阻小，輸出電阻大
B.輸入電阻小，輸出電阻小
C.輸入電阻大，輸出電阻小
D.輸入電阻大，輸出電阻大
A.截止區(qū)
B.放大區(qū)
C.飽和區(qū)
D.擊穿區(qū)
A.基極、集電極、發(fā)射極
B.發(fā)射極、基極、集電極
C.集電極、發(fā)射極、基極
D.集電極、基極、發(fā)射極
A.60
B.75
C.80
D.100
A.發(fā)射極、基極、集電極
B.集電極、基極、發(fā)射極
C.集電極、發(fā)射極、基極
D.基極、集電極、發(fā)射極
最新試題
可以通過新增以下哪些類型文件添加ChipScope調(diào)試IP核？（）
CD放大器具有較（）的輸入電阻和較（）的輸出電阻。?????
?在使用verilog描述一個(gè)二選一的數(shù)據(jù)選擇器時(shí)，使用一條語句來進(jìn)行描述assign out1=（sel &b）∣（~sel &a），這條語句對(duì)應(yīng)的是（）。
?在verilogHDL的數(shù)字表達(dá)方式用，和十進(jìn)制數(shù)127表示的數(shù)字相同的表達(dá)方式有（）。
假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū)，若uDS繼續(xù)增大時(shí)，溝道夾斷點(diǎn)向漏極移動(dòng)。
已知某N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值，那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為（）。
I=0.5mA，Vt=1.5V，k′n（W/L）=1mA/V2，VA足夠大。輸入輸出信號(hào)均通過電容耦合進(jìn)行傳輸（注意圖中未畫出電容），要實(shí)現(xiàn)增益為15倍的放大電路，則RD=（）kΩ。?
?verilogHDL中已經(jīng)預(yù)先定義了的門級(jí)原型的符號(hào)有（）。
用作電壓放大器時(shí)，CS放大器不合適的參數(shù)為（）。?
MOSFET做放大器，要想正常工作只需用電路提供合理的偏置使其工作在飽和區(qū)即可。???