下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

常壓的硅外延方法有（）。