多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

光刻工藝的特點包括（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質(zhì)量的指標？（）

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

新的平坦化方法有哪幾個？（）