下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）