填空題干法刻蝕適用于（）（粗/細(xì)）線條。
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1.單項選擇題
化學(xué)氣相淀積SiO2與熱生長SiO2相比較，下面哪些說法是正確的：（）。
1.熱生長SiO2只能在Si襯底上生長；
2.CVD SiO2可以淀積在硅襯底上，也可以淀積在金屬、陶瓷、及其它半導(dǎo)體材料上；
3.CVD SiO2，襯底硅不參加反應(yīng)；
4.CVD SiO2，溫度低。
A.1、2
B.2、4
C.1、4
D.1、2、4
E.1、2、3、4
3.填空題雜質(zhì)原子（或離子）在半導(dǎo)體晶片中的擴(kuò)散機(jī)構(gòu)比較復(fù)雜，但主要可分為兩種機(jī)構(gòu)：替位式擴(kuò)散和（）式擴(kuò)散。
最新試題
注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）
題型：單項選擇題
碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。
題型：判斷題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
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下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）
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硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
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摻雜后，退火的目的是（）。
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影響封裝芯片特性的溫度有（）。
題型：多項選擇題
如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）
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下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）
題型：多項選擇題
光刻工藝的特點包括（）。
題型：多項選擇題