A.=
B.:=
C.<=
D.==
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A.可以進(jìn)行運(yùn)算和直接代入
B.不能進(jìn)行運(yùn)算和直接代入
C.不能進(jìn)行運(yùn)算但可以直接代入
D.可以進(jìn)行運(yùn)算但不能直接代入
A.AND
B.OR
C.XOR
D.NOT
A.結(jié)構(gòu)體對(duì)應(yīng)的實(shí)體的端口表中
B.結(jié)構(gòu)體中關(guān)鍵詞BEGIN前
C.結(jié)構(gòu)體中關(guān)鍵詞BEGIN后
D.程序包(PACKAGE)
A.結(jié)構(gòu)體(ARCHITECTURE)
B.進(jìn)程(PROCESS)中的關(guān)鍵詞BEGIN前
C.進(jìn)程(PROCESS)中的關(guān)鍵詞BEGIN后
D.程序包(PACKAGE)
A.ARCHITECTURE
B.ENTITY
C.PROCESS
D.PACKAGE
最新試題
兩個(gè)與非門構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器,當(dāng)Q=1、Q=0時(shí),兩個(gè)輸入信號(hào)R=1和S=1。觸發(fā)器的輸出Q會(huì)()。
以下哪個(gè)編碼不能是二-十進(jìn)制譯碼器的輸入編碼()
根據(jù)什么判斷簡(jiǎn)單電路中的險(xiǎn)象存在?
試提出數(shù)字頻率計(jì)的三種設(shè)計(jì)方案,比較各種方案的特點(diǎn)。如果用HDPLD來(lái)實(shí)現(xiàn),設(shè)計(jì)方案是最佳嗎?簡(jiǎn)述理由。
TTL與非門輸出高電平的參數(shù)規(guī)范值是()
用1M×4的DRAM芯片通過(guò)()擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
TTL與非門閾值電壓UT的典型值是()
DRAM4164有2根片選線(RAS和CAS)、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請(qǐng)判斷它的存儲(chǔ)容量為多少?
雙積分型數(shù)字電壓表是否需要取樣-保持電路?請(qǐng)說(shuō)明理由。
小容量RAM內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為()