試用電導率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設計1kΩ的電阻，設電阻寬1μm，求其長。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達式。

規(guī)定版圖幾何設計規(guī)則的意義是什么？

MOS器件存在哪些二階效應？

硅半導體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

由硅片生產(chǎn)的半導體產(chǎn)品，又被稱為（）。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。

把半導體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

從天然硅中獲得達到生產(chǎn)半導體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。