在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

BiCMOS技術就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結構的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結構的高電流驅(qū)動能力。

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

MOS場效應管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

規(guī)定版圖幾何設計規(guī)則的意義是什么？

版圖設計的基本前提是什么？

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

從設計的觀點出發(fā)，版圖設計規(guī)則應包括哪些部分？

把半導體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

什么是MOS器件的體效應？