版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

MOS場效應管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數載流子來區(qū)別。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

什么是MOS器件的體效應？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標準單位制）？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

版圖設計的基本前提是什么？