單項選擇題晶體的生長方式在人工制備中用的比較少的是（）
A.固相生長
B.液相生長
C.氣相生長
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1.單項選擇題下列是晶體的是（）
A.玻璃
B.硅
C.松香
D.塑料
2.單項選擇題只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）
A、線缺陷
B、面缺陷
C、點(diǎn)缺陷
D、體缺陷
3.單項選擇題硅單質(zhì)是（）
A、半導(dǎo)體
B、導(dǎo)體
C、絕緣體
4.問答題簡述影響碳酸鈣分解速度的因素。
5.問答題簡述如何選擇陶瓷的成方法？
最新試題
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
題型：單項選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項選擇題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
題型：單項選擇題