單項(xiàng)選擇題下列是晶體的是()
A.玻璃
B.硅
C.松香
D.塑料
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1.單項(xiàng)選擇題只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()
A、線缺陷
B、面缺陷
C、點(diǎn)缺陷
D、體缺陷
2.單項(xiàng)選擇題硅單質(zhì)是()
A、半導(dǎo)體
B、導(dǎo)體
C、絕緣體
3.問(wèn)答題簡(jiǎn)述影響碳酸鈣分解速度的因素。
4.問(wèn)答題簡(jiǎn)述如何選擇陶瓷的成方法?
5.問(wèn)答題簡(jiǎn)述影響玻璃化學(xué)穩(wěn)定性的因素?
最新試題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列是晶體的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
題型:多項(xiàng)選擇題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題