直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現（）。

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。