只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

硅片拋光在原理上不可分為（）

下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

可用作硅片的研磨材料是（）

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）