問答題實際生產(chǎn)應用中，為何常對工業(yè)氧化鋁預燒后使用？
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最新試題
與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）
題型：單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
題型：單項選擇題
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項選擇題