單項(xiàng)選擇題從結(jié)構(gòu)上看，陶瓷組成相中不包含：（）
A.結(jié)晶物質(zhì)
B.氣孔
C.液相
D.玻璃態(tài)物質(zhì)
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1.單項(xiàng)選擇題普通玻璃中，煤粉的含率在生產(chǎn)上一般控制在：（）
A.0.2%-3.5%
B.5%-8%
C.18%-26%
D.3%-5%
2.單項(xiàng)選擇題配料計(jì)算中芒硝含率指：（）
A.芒硝引入的Na2O/純堿引入的Na2O
B.芒硝引入的Na2O/（芒硝引入的Na2O+純堿引入的Na2O）
C.純堿引入的Na2O/芒硝引入的Na2O
D.純堿引入的Na2O/（芒硝引入的Na2O+純堿引入的Na2O）
3.單項(xiàng)選擇題玻璃的組成不包括：（）
A.玻璃游離體
B.玻璃形成體
C.玻璃調(diào)整體
D.玻璃中間體
4.單項(xiàng)選擇題KH，SM（），生料難道；反之易燒。SM，IM（）難燒，要求較高的燒成溫度。
A.高低
B.低高
C.低低
D.高高
5.單項(xiàng)選擇題從硅酸鹽水泥生產(chǎn)熟料實(shí)際組成來看，其氧化鈣的低限大約為：（）
A、55%
B、62%
C、67%
D、72%
最新試題
下列是晶體的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項(xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項(xiàng)選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項(xiàng)選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項(xiàng)選擇題