單項(xiàng)選擇題KH，SM（），生料難道；反之易燒。SM，IM（）難燒，要求較高的燒成溫度。
A.高低
B.低高
C.低低
D.高高
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1.單項(xiàng)選擇題從硅酸鹽水泥生產(chǎn)熟料實(shí)際組成來看，其氧化鈣的低限大約為：（）
A、55%
B、62%
C、67%
D、72%
2.單項(xiàng)選擇題硅酸鹽水泥熟料不含有哪種礦物：（）
A、C2S
B、C3S
C、C3AF
D、C4AF
3.單項(xiàng)選擇題陶瓷坯料成型方法中，哪種含水量最低：（）
A.注漿坯料
B.可塑坯料
C.壓制坯料
D.其它
4.單項(xiàng)選擇題下列哪個(gè)不是調(diào)整陶瓷坯料的添加劑：（）
A.解凝劑
B.結(jié)合劑
C.減水劑
D.潤滑劑
5.單項(xiàng)選擇題查哈里阿森（Zachariasen）提出的形成氧化物玻璃的規(guī)則中，氧的配位數(shù)不大于（）
A、2
B、3
C、4
D、5
最新試題
下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
對于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型：單項(xiàng)選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項(xiàng)選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項(xiàng)選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
題型：單項(xiàng)選擇題
PN結(jié)的基本特性是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題