A、2
B、3
C、4
D、5
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A、鈉鈣硅玻璃
B、鉛硅酸鹽玻璃
C、硼硅酸鹽玻璃
D、磷酸鹽玻璃
A、濃酸對(duì)玻璃的侵蝕能力高于稀酸。
B、大氣對(duì)玻璃的侵蝕實(shí)質(zhì)上是水汽、CO2、SO2等作用的總和。
C、水氣比水溶液對(duì)玻璃具有更大的侵蝕性。
D、退火玻璃比淬火玻璃的化學(xué)穩(wěn)定性高。
A、1013Pa·S
B、1011Pa·S
C、1012Pa·S
D、1010Pa·S
A.離子鍵
B.共價(jià)鍵
C.金屬鍵
D.極性共價(jià)鍵
A、251kJ/mol
B、235kJ/mol
C、350kJ/mol
D、335kJ/mol
最新試題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
可用作硅片的研磨材料是()
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
PN結(jié)的基本特性是()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()