A、C2S
B、C3S
C、C3AF
D、C4AF
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.注漿坯料
B.可塑坯料
C.壓制坯料
D.其它
A.解凝劑
B.結(jié)合劑
C.減水劑
D.潤滑劑
A、2
B、3
C、4
D、5
A、鈉鈣硅玻璃
B、鉛硅酸鹽玻璃
C、硼硅酸鹽玻璃
D、磷酸鹽玻璃
A、濃酸對玻璃的侵蝕能力高于稀酸。
B、大氣對玻璃的侵蝕實(shí)質(zhì)上是水汽、CO2、SO2等作用的總和。
C、水氣比水溶液對玻璃具有更大的侵蝕性。
D、退火玻璃比淬火玻璃的化學(xué)穩(wěn)定性高。
最新試題
下列是晶體的是()。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時(shí),該表面態(tài)為();
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。